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林賽斯HCS 霍爾效應測量儀 專為半導體材料電學性能表征而設計，可精確測定霍爾常數、電阻率，并計算載流子濃度與遷移率。系統(tǒng)支持從-196°C至600°C的寬廣溫度范圍，并提供永磁體（±0.7T）或電磁體（±1T）配置，以滿足不同精度需求。其模塊化設計與氣密測量室，確保在真空或多種氣氛下實現(xiàn)對SiC、GaN等材料的靈活、高精度分析。
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